MOSFET DiodesZetex, canale N, 210 mΩ, 1,4 A, X1-DFN1006, Montaggio superficiale

Codice RS:: 790-4583
Codice costruttore:: DMN1150UFB-7B
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 210 mΩ, 1,4 A, X1-DFN1006, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 790-4583
Codice costruttore:: DMN1150UFB-7B
Costruttore:: DiodesZetex

DMN1150UFB N-channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,4 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	X1-DFN1006
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	210 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-6 V, +6 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	0.675mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	1.08mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,5 nC @ 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.48mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 210 mΩ, 1,4 A, X1-DFN1006, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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