MOSFET DiodesZetex, canale N 12 V, 210 mΩ Miglioramento, 1.4 A, 3 Pin, X1-DFN, Superficie

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Codice RS:
169-7186
Codice costruttore:
DMN1150UFB-7B
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

DMN

Tipo di package

X1-DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-6V, +6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.08mm

Altezza

0.48mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.68mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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