MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 0.9 A, 3 Pin, X1-DFN, Superficie DMN2310UFD-7

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

1,225 €

(IVA esclusa)

1,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2875 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 250,049 €1,23 €
50 - 750,048 €1,20 €
100 - 2250,036 €0,90 €
250 - 9750,035 €0,88 €
1000 +0,034 €0,85 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7511
Codice costruttore:
DMN2310UFD-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

DMN

Tipo di package

X1-DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

890mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.7nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

1.25mm

Altezza

0.53mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN1212-3. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±8 V. Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole. Ha bassa dispersione in ingresso/uscita

Link consigliati