MOSFET onsemi, canale N 100 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 8 Pin, DFN, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
185-7988
Codice costruttore:
FDWS86068-F085
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

DFN

Serie

FDWS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.3mm

Lunghezza

5.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
PH
MOSFET PowerTrench® a canale N 100 V, 80 A, 4,5 mΩ

RDS(on) tipico = 5,2 mΩ a VGS = 10 V, ID = 80 A.

Qg(tot) tipico = 31 nC a VGS = 10 V, ID = 80 A.

Funzionalità UIS

Questi dispositivi sono senza piombo

Fianchi bagnabile per l'ispezione ottica automatica (AOI)

Applicazioni

Controllo motori nel settore automobilistico

Gestione della trasmissione

Solenoide e azionamenti per motori

Servosterzo elettronico

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.