MOSFET onsemi, canale N, 6,4 mΩ, 80 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 185-9082
Codice costruttore:: FDWS86068-F085
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 6,4 mΩ, 80 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 185-9082
Codice costruttore:: FDWS86068-F085
Costruttore:: onsemi

Datasheet FDWS86068-F085

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	6,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	214 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5.1mm
Larghezza	6.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	31 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	1.05mm

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