MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 8 Pin, DFN, Superficie FDWS86068-F085

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 4 unità*

4,88 €

(IVA esclusa)

5,96 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 2984 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
4 +1,22 €4,88 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
185-9082
Codice costruttore:
FDWS86068-F085
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

DFN

Serie

FDWS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
PH
MOSFET PowerTrench® a canale N 100 V, 80 A, 4,5 mΩ

RDS(on) tipico = 5,2 mΩ a VGS = 10 V, ID = 80 A.

Qg(tot) tipico = 31 nC a VGS = 10 V, ID = 80 A.

Funzionalità UIS

Questi dispositivi sono senza piombo

Fianchi bagnabile per l'ispezione ottica automatica (AOI)

Applicazioni

Controllo motori nel settore automobilistico

Gestione della trasmissione

Solenoide e azionamenti per motori

Servosterzo elettronico

Link consigliati