MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 6.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 8 Pin, DFN, Superficie FDWS86068-F085

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Codice RS:
185-9082
Codice costruttore:
FDWS86068-F085
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

FDWS

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.05mm

Larghezza

6.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
PH
MOSFET PowerTrench® a canale N 100 V, 80 A, 4,5 mΩ

RDS(on) tipico = 5,2 mΩ a VGS = 10 V, ID = 80 A.

Qg(tot) tipico = 31 nC a VGS = 10 V, ID = 80 A.

Funzionalità UIS

Questi dispositivi sono senza piombo

Fianchi bagnabile per l'ispezione ottica automatica (AOI)

Applicazioni

Controllo motori nel settore automobilistico

Gestione della trasmissione

Solenoide e azionamenti per motori

Servosterzo elettronico

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