MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 5.5 mΩ Miglioramento, 89 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6D1N08HT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
185-9150
Codice costruttore:
NVMFS6D1N08HT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

89A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFS6D1N08H

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.1mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
MY
Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

NVMFSW6D1N08H - Opzione Fiancetta bagnabile per un'ispezione ottica avanzata

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono privi di Pb, senza alogeni/senza BFR, senza berillio

Applicazioni tipiche

Rettifica sincrona

Alimentatori CA/CC e CC/CC

Adattatori CA/CC (USB PD) SR

Interruttore di carico

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