- Codice RS:
- 186-1441
- Codice costruttore:
- NTPF110N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
2,55 €
(IVA esclusa)
3,11 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
2 + | 2,55 € | 5,10 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 186-1441
- Codice costruttore:
- NTPF110N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Non conforme
Dettagli prodotto
MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo corpo del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 62 nC)
Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 522 pF)
Capacità ottimizzata
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Tip. RDS(ON) = 98 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 62 nC)
Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 522 pF)
Capacità ottimizzata
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Tip. RDS(ON) = 98 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 30 A |
Tensione massima drain source | 650 V |
Tipo di package | TO-220 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 110 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 240 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±30 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Larghezza | 4.9mm |
Carica gate tipica @ Vgs | 62 nC a 10 V |
Lunghezza | 10.63mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Tensione diretta del diodo | 1.3V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 16.12mm |
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