MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante NTPF110N65S3HF
- Codice RS:
- 186-1441
- Codice costruttore:
- NTPF110N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
9,02 €
(IVA esclusa)
11,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 08 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 + | 4,51 € | 9,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-1441
- Codice costruttore:
- NTPF110N65S3HF
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 62nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 240W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 16.12mm | |
| Larghezza | 4.9 mm | |
| Lunghezza | 10.63mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 62nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 240W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 16.12mm | ||
Larghezza 4.9 mm | ||
Lunghezza 10.63mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Non conforme
MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto per i vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo corpo del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carica Gate Ultra Bassa (Tip. QG = 62 nC)
Bassa Capacità Di Uscita Effettiva (Tip. COSS(eff.) = 522 pF)
Capacità ottimizzata
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Tip. RDS(ON) = 98 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Telecomunicazioni
Sistema Cloud
Industriale
Prodotti finali
Alimentazione per le telecomunicazioni
Alimentazione per server
Caricabatterie EV
Solare/UPS
Link consigliati
- MOSFET onsemi 110 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET onsemi 110 mΩ TO-247, Su foro
- MOSFET onsemi 110 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 220 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 7 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 3 110 A Su foro
- MOSFET IXYS 110 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET onsemi 4 128 A Su foro
