2 MOSFET onsemi Duale, canale Tipo N, 550 mΩ, 1 A 100 V, TSOT-23, Superficie, 6 Pin

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Codice RS:
186-7147
Codice costruttore:
FDC3601N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TSOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

550mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

0.96W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Questi MOSFET specificati a 100 V a canale N sono prodotti utilizzando un Advanced PowerTrench processo che è stato appositamente adattato per minimizzare la resistenza allo stato attivo e mantenere tuttavia una bassa carica di gate per prestazioni di commutazione superiori. Questi dispositivi sono stati progettati per offrire un'eccezionale dissipazione di potenza in un ingombro molto ridotto per applicazioni in cui i pacchetti SO-8 e TSSOP-8 più costosi sono poco pratici.

1,0 A, 100 V.

RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V.

RDS(on) = 550 mΩ a VGS = 6 V.

Bassa carica del cancello (3.7nC tipica)

Elevata velocità di commutazione

Tecnologia trench ad alte prestazioni per RDS(ON) estremamente basso

Confezione SuperSOT™-6: Ingombro ridotto del 72% (inferiore allo standard SO-8), profilo basso (spessore 1 mm)

Applications

Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.

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