MOSFET onsemi, TSOT-23, Montaggio superficiale

Questi MOSFET specificati a 100 V a canale N sono prodotti utilizzando un Advanced PowerTrench processo che è stato appositamente adattato per minimizzare la resistenza allo stato attivo e mantenere tuttavia una bassa carica di gate per prestazioni di commutazione superiori. Questi dispositivi sono stati progettati per offrire un'eccezionale dissipazione di potenza in un ingombro molto ridotto per applicazioni in cui i pacchetti SO-8 e TSSOP-8 più costosi sono poco pratici.

1,0 A, 100 V.
RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V.
RDS(on) = 550 mΩ a VGS = 6 V.
Bassa carica del cancello (3.7nC tipica)
Elevata velocità di commutazione
Tecnologia trench ad alte prestazioni per RDS(ON) estremamente basso
Confezione SuperSOT™-6: Ingombro ridotto del 72% (inferiore allo standard SO-8), profilo basso (spessore 1 mm)
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.