MOSFET Vishay, canale P, 3,5 Ω, 500 mA, PowerPak 0806, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 188-4909
- Codice costruttore:
- SiUD401ED-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 188-4909
- Codice costruttore:
- SiUD401ED-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | P | |
| Corrente massima continuativa di drain | 500 mA | |
| Tensione massima drain source | 30 V | |
| Tipo di package | PowerPak 0806 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 3,5 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 1.4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 0.6V | |
| Dissipazione di potenza massima | 1,25 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | ±12 V | |
| Larghezza | 0.6mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 1.3 nC a 15 V | |
| Lunghezza | 0.8mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 0.4mm | |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale P | ||
Corrente massima continuativa di drain 500 mA | ||
Tensione massima drain source 30 V | ||
Tipo di package PowerPak 0806 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 3,5 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 1.4V | ||
Tensione di soglia gate minima 0.6V | ||
Dissipazione di potenza massima 1,25 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source ±12 V | ||
Larghezza 0.6mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 1.3 nC a 15 V | ||
Lunghezza 0.8mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Altezza 0.4mm | ||
Tensione diretta del diodo 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
MOSFET a 30 V (D-S) a canale P.
MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen III p
Profilo ultraridotto da 0,8 mm x 0,6 mm
Ultrasottile 0,4 mm max. Altezza
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