MOSFET Vishay, canale P, 3,5 Ω, 500 mA, PowerPak 0806, Montaggio superficiale

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Codice RS:
188-4909
Codice costruttore:
SiUD401ED-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

500 mA

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PowerPak 0806

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,5 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.4V

Tensione di soglia gate minima

0.6V

Dissipazione di potenza massima

1,25 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±12 V

Larghezza

0.6mm

Carica gate tipica @ Vgs

1.3 nC a 15 V

Lunghezza

0.8mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Altezza

0.4mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET a 30 V (D-S) a canale P.

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