2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 530 mΩ, 850 mA 20 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin SQ1922AEEH-T1_GE3

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Codice RS:
188-4911
Codice costruttore:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

850mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

US

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

530mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Tensione diretta Vf

0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

1.35mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Lunghezza

2.2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a 175 °C Dual N-Channel 20 V (D-S) per uso automobilistico.

MOSFET di potenza TrenchFET®

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