MOSFET di potenza MDmesh STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 0.4 Ω Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 188-8461
- Codice costruttore:
- STB11NM80T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 188-8461
- Codice costruttore:
- STB11NM80T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza MDmesh | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | STB11NM80 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.86V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.37mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza MDmesh | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie STB11NM80 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione diretta Vf 0.86V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.37mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questi MOSFET di potenza a canale N sono sviluppati utilizzando la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ di STMicroelectronics, che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. Questi dispositivi offrono resistenza all'accensione estremamente bassa, elevata dv/dt ed eccellenti caratteristiche di valanghe. Utilizzando la tecnica a striscia proprietaria di ST, questi MOSFET di potenza vantano prestazioni dinamiche complessive superiori a quelle di prodotti simili presenti sul mercato.
Bassa capacità di ingresso e carica del gate
Bassa resistenza di ingresso del gate
Migliore RDS(on)Qg nel settore
Applications
Applicazioni di commutazione
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