MOSFET di potenza MDmesh STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 0.4 Ω Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-8461
Codice costruttore:
STB11NM80T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza MDmesh

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

STB11NM80

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.6nC

Tensione diretta Vf

0.86V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Minima temperatura operativa

-65°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

9.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.37mm

Standard automobilistico

No

Questi MOSFET di potenza a canale N sono sviluppati utilizzando la rivoluzionaria tecnologia MDmesh™ di STMicroelectronics, che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dell'azienda. Questi dispositivi offrono resistenza all'accensione estremamente bassa, elevata dv/dt ed eccellenti caratteristiche di valanghe. Utilizzando la tecnica a striscia proprietaria di ST, questi MOSFET di potenza vantano prestazioni dinamiche complessive superiori a quelle di prodotti simili presenti sul mercato.

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Bassa resistenza di ingresso del gate

Migliore RDS(on)Qg nel settore

Applications

Applicazioni di commutazione

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