MOSFET onsemi, canale N, 920 μΩ, 300 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 189-0259
Codice costruttore:: NTMJS1D0N04CTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 920 μΩ, 300 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

1,462 €

(IVA esclusa)

1,784 €

(IVA inclusa)

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 17/01/2025.

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	1,462 €	4.386,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 189-0259
Codice costruttore:: NTMJS1D0N04CTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMJS1D0N04CTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	920 μΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	166 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	86 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.9mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.2mm

MOSFET onsemi, canale N, 920 μΩ, 300 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

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