MOSFET onsemi, canale N 40 V, 920 μΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMJS1D0N04CTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0506
Codice costruttore:
NTMJS1D0N04CTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

300A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMJS1D0N04C

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

920μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

166W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.9mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Pacchetto LFPAK-e, standard industriale

Questi Dispositivi Sono Privi Di Piombo

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