MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 138 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NTMYS2D4N04CTWG

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Codice RS:
195-2511
Codice costruttore:
NTMYS2D4N04CTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

138A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMYS2D4N04C

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.25 mm

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

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