MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 52 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2525
Codice costruttore:: NTMYS7D3N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 52 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 195-2525
Codice costruttore:: NTMYS7D3N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMYS7D3N04CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	52 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	12 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	38 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 4,5 V
Larghezza	4.25mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.15mm

MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 52 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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