MOSFET onsemi, canale N 40 V, 12 mΩ Miglioramento, 35 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NVMYS011N04CTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2548
Codice costruttore:
NVMYS011N04CTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NVMYS011N04C

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.9nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.25mm

Altezza

1.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni automobilistiche che richiedono una maggiore affidabilità a livello di scheda.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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