MOSFET onsemi, canale N, 0,028 Ω, 98 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-8970
Codice costruttore:
NVBG020N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

98 A

Tensione massima drain source

1200 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Resistenza massima drain source

0,028 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.3V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L


Il MOSFET SiC (carburo di silicio) a canale singolo On Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza d'esercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.

Carica di gate ultra bassa (tip. QG(tot) = 220nC)
Capacità di uscita effettiva bassa
Testato con effetto valanga al 100%
Qualificati in conformità ad AEC Q101

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