MOSFET onsemi, canale Tipo N, 0.028 Ω 1200 V, 98 A Miglioramento, TO-263, Superficie, 7 Pin NVBG020N120SC1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-8970
Codice costruttore:
NVBG020N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

98A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.028Ω

Modalità canale

Miglioramento

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L


Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) a canale N singolo On Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza ON e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una bassa carica del gate. Include la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una ridotta EMI e dimensioni ridotte del sistema.

Carica gate ultrabassa (tip. QG(tot) = 220 nC)

Bassa capacità effettiva di uscita

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Qualificato secondo AEC-Q101

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