MOSFET onsemi, canale N, 0.028 Ω 1.2 kV, 98 A Miglioramento, TO-263, Superficie, 7 Pin NVBG020N120SC1

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Codice RS:
195-8969
Codice costruttore:
NVBG020N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

0.028 Ω

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

1.2 kV

Massima corrente di scarico continua (Id)

98 A

Modalità canale

Miglioramento

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK−7L


The On Semiconductor single N-channel silicon carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and Compact chip size ensure low capacitance and gate charge. It include highest efficiency, Faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Ultra low gate charge (typ. QG(tot) = 220nC)

Low effective output capacitance

100% avalanche tested

Qualified according to AEC−Q101

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