Moduli MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.105 Ω 1200 V, 33 A Depletion, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5484
Codice costruttore:
SCTH40N120G2V7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Moduli MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.105Ω

Modalità canale

Depletion

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di grado automobilistico STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 2a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da una notevolmente bassa resistenza all'accensione per area unitaria e da ottime prestazioni di commutazione.

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Bassa capacitanza

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