MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 28 mΩ Miglioramento, 84 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
202-5696
Codice costruttore:
NTH4L020N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

84A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

NTH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

220nC

Tensione diretta Vf

3.7V

Dissipazione di potenza massima Pd

510W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.2mm

Larghezza

5.2 mm

Lunghezza

18.62mm

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 102 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.

Resistenza all'accensione da drain a source 20mO

Carica di gate ultra bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Senza piombo

Conformità RoHS

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