MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 80 mΩ Miglioramento, 29 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante NVH4L080N120SC1

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Codice RS:
202-5740
Codice costruttore:
NVH4L080N120SC1
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO-247

Serie

NVH

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

22.74mm

Larghezza

5.2 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio TO247−4L, N?Canale, 1200 V, 80 m?, TO247?4L


Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 29 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in caricabatterie a bordo scheda per uso automobilistico, convertitore c.c. o c.c., applicazioni di azionamento per motori ausiliari per uso automobilistico.

Certificazione AEC Q101

Testato con effetto valanga al 100%

Capacità di uscita effettiva bassa

Conformità RoHS

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