Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247-4, Su foro

Codice RS:: 202-5740
Codice costruttore:: NVH4L080N120SC1
Costruttore:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247-4, Su foro

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Prezzo per 1pz in confezione da 2

22,62 €

(IVA esclusa)

27,60 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
2 - 8	22,62 €	45,24 €
10 - 98	22,005 €	44,01 €
100 - 248	21,425 €	42,85 €
250 - 498	20,88 €	41,76 €
500 +	20,36 €	40,72 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 202-5740
Codice costruttore:: NVH4L080N120SC1
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Datasheet - NVH4L080N120SC1

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET in carburo di silicio (SiC), canale N - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, MOSFET in carburo di silicio TO247−4L, N?Canale, 1200 V, 80 m?, TO247?4L

Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 29 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in caricabatterie a bordo scheda per uso automobilistico, convertitore c.c. o c.c., applicazioni di azionamento per motori ausiliari per uso automobilistico.

Certificazione AEC Q101
Testato con effetto valanga al 100%
Capacità di uscita effettiva bassa
Conformità RoHS

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	29 A
Tensione massima drain source	1200 V
Tipo di package	TO-247-4
Serie	NVH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,08 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.3V
Materiale del transistor	SiC
Numero di elementi per chip	1