MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 91 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW50N65DM6

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Codice RS:
204-3948
Codice costruttore:
STW50N65DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

DM6

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

91mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

20.15mm

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza

Testato con effetto valanga al 100%

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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