MOSFET onsemi, canale N, 3,6 mΩ, 131 A, DFN5, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 205-2455
- Codice costruttore:
- NTMFS3D6N10MCLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)
1,147 €
(IVA esclusa)
1,399 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,147 € | 1.720,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 205-2455
- Codice costruttore:
- NTMFS3D6N10MCLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET di potenza a canale N singolo ON Semiconductor è dotato di tensione nominale drain-source di 100V e corrente nominale di drain continua di 131A. Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR e sono conformi alla direttiva RoHS.
La resistenza da drain a source on è 3,6 MOhm
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione
QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver
Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.
Ingombro ridotto (5mm x 6mm) per un design compatto
Azionamento motore
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione
QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver
Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.
Ingombro ridotto (5mm x 6mm) per un design compatto
Azionamento motore
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 131 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Tipo di package | DFN5 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 5 |
| Resistenza massima drain source | 3,6 mΩ |
| Tensione di soglia gate massima | 3V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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