MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 5 mΩ N, 175 A, 8 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
229-6484
Codice costruttore:
NTMTS4D3N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

175A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Dissipazione di potenza massima Pd

293W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.2 mm

Altezza

8.5mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Corrente di Peak elevata e bassa induttanza parassita

Offre un margine di progettazione più ampio per applicazioni con problemi termici

Riduce i picchi di commutazione

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