MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 4.45 mΩ N, 165 A, 8 Pin, DFN, Superficie NVMTS4D3N15MC
- Codice RS:
- 229-6505
- Codice costruttore:
- NVMTS4D3N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
6,11 €
(IVA esclusa)
7,45 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 2839 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,11 € |
| 10 - 99 | 5,27 € |
| 100 - 499 | 4,56 € |
| 500 - 999 | 4,01 € |
| 1000 + | 3,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-6505
- Codice costruttore:
- NVMTS4D3N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 165A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.45mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 292W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 79nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 1.2 mm | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Altezza | 9.42mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 165A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.45mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 292W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 79nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 1.2 mm | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Altezza 9.42mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza industriale on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 8x8mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Fiancata bagnabile per una migliore ispezione ottica. È utilizzato nella protezione della batteria dell'inversore, negli alimentatori switching e negli interruttori di alimentazione.
Design compatto
Riduce al minimo le perdite di conduzione
Ridurre al minimo le perdite di driver
Ispezione ottica migliorata
Link consigliati
- MOSFET onsemi 4.45 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 5 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 6.4 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 5 mΩ N 8 Pin Superficie NTMTS4D3N15MC
- MOSFET onsemi 6.4 mΩ N 8 Pin Superficie NTMTS6D0N15MC
- MOSFET onsemi 3.3 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 3.3 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie NTMFS5C628NLT1G
- MOSFET onsemi 4 80 A Montaggio superficiale
