MOSFET onsemi, canale N, 11,4 mΩ, 74 A, DFN, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
185-8972
Codice costruttore:
NTMFS6H836NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

74 A

Tensione massima drain source

80 V

Tipo di package

DFN

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

5

Resistenza massima drain source

11,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

89 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±20 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

5.1mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

25 nC a 10 V

Larghezza

6.1mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.05mm

Non conforme

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm)
Bassa resistenza RDS(on)
QG e capacità bassi
Design compatto
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduce le perdite di driver
Applicazioni
Commutazione degli alimentatori
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Sistemi da 48 V
Gestione e protezione della batteria
Prodotti finali
Controllo motori
Convertitore CC/CC
Interruttore di carico
Rettifica sincrona
Batterie e ESS

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