MOSFET onsemi, canale N, 11,4 mΩ, 74 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 185-8972
Codice costruttore:: NTMFS6H836NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 11,4 mΩ, 74 A, DFN, Montaggio superficiale

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60 - 114	1,12 €	6,72 €
120 - 594	0,97 €	5,82 €
600 +	0,853 €	5,118 €

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Codice RS:: 185-8972
Codice costruttore:: NTMFS6H836NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMFS6H836NT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	74 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	11,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	89 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5.1mm
Larghezza	6.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.05mm

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