MOSFET Infineon, canale N, 310 mΩ, 11,4 A, TO-247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
897-7646
Codice costruttore:
IPW65R310CFDFKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

11,4 A

Tensione massima drain source

700 V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS CFD

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

310 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

104,2 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

16.13mm

Carica gate tipica @ Vgs

41 nC a 10 V

Larghezza

21.1mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

5.21mm

Tensione diretta del diodo

0.9V

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™ CFD



Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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