1 MOSFET Infineon Singolo, canale N, 1.8 mΩ, 355 A 75 V, TO-247, Foro passante, Foro passante Miglioramento, 3 Pin

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Codice RS:
145-8890
Codice costruttore:
IRFP7718PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

355A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante, Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

552nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

517W

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Lead-Free, RoHS

Altezza

20.7mm

Larghezza

5.31mm

Lunghezza

15.87mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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