MOSFET Infineon, canale N, 1,8 mΩ, 355 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:
145-8890
Codice costruttore:
IRFP7718PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

355 A

Tensione massima drain source

75 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.7V

Tensione di soglia gate minima

2.1V

Dissipazione di potenza massima

517 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

552 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

5.31mm

Lunghezza

15.87mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

20.7mm

Tensione diretta del diodo

1.3V

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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