MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 3.6 mΩ N, 131 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS3D6N10MCLT1G

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

10,18 €

(IVA esclusa)

12,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 430 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +2,036 €10,18 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
205-2456
Codice costruttore:
NTMFS3D6N10MCLT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

131A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6mm

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N singolo ON Semiconductor è dotato di tensione nominale drain-source di 100V e corrente nominale di drain continua di 131A. Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR e sono conformi alla direttiva RoHS.

La resistenza da drain a source on è 3,6 MOhm

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.

Ingombro ridotto (5mm x 6mm) per un design compatto

Azionamento motore

Link consigliati