1 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.015 Ω, 30.2 A 40 V, PowerDI3333, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

682,00 €

(IVA esclusa)

832,00 €

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2000 +0,341 €682,00 €

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Codice RS:
206-0142
Codice costruttore:
DMT47M2LDV-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerDI3333

Serie

DMT47

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.015Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

14.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.72nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101

Altezza

0.85mm

Larghezza

3.4 mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET dual in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 40V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 2,34 W.

Elevata efficienza di conversione

Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

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