MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 7.8 mΩ, 87 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 214-4450
- Codice costruttore:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 214-4450
- Codice costruttore:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 87A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.8mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 26nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 87A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.8mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET Infineon HEXFET è ottimizzato per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. È ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e. robustezza
Ha la qualifica di prodotto secondo lo standard JEDEC
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