MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 40 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 121 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM033NB04CR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9652
Codice costruttore:
TSM033NB04CR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

121A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.81 mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

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