MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 40 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 121 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM033NB04CR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9652
Codice costruttore:
TSM033NB04CR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

121A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Larghezza

3.81mm

Standard/Approvazioni

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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