MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 12.6 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante IPD50P04P413ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2519
Codice costruttore:
IPD50P04P413ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

58W

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon -40V, P-CH, 12,6 MΩ max, MOSFET per uso automobilistico, DPAK, OptiMOS™-P2.

Canale P - livello normale - modalità di miglioramento

Qualifica AEC

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (conforme a RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

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