MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 12.6 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante IPD50P04P413ATMA2

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

19,46 €

(IVA esclusa)

23,74 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi

Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 200,973 €19,46 €
40 - 800,925 €18,50 €
100 - 1800,885 €17,70 €
200 - 4800,847 €16,94 €
500 +0,789 €15,78 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2519
Codice costruttore:
IPD50P04P413ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

58W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon -40V, P-CH, 12,6 MΩ max, MOSFET per uso automobilistico, DPAK, OptiMOS™-P2.

Canale P - livello normale - modalità di miglioramento

Qualifica AEC

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (conforme a RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

Link consigliati