MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 12.6 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante IPD50P04P413ATMA2
- Codice RS:
- 217-2519
- Codice costruttore:
- IPD50P04P413ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2519
- Codice costruttore:
- IPD50P04P413ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 58W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 58W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensione diretta Vf -1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 50 A - IPD50P04P413ATMA2
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per controllare correnti elevate in ambienti difficili, fornendo un interruttore a semiconduttore in grado di gestire carichi drain-source consistenti tollerando al contempo ampi intervalli di temperatura.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente applicazioni di commutazione a media tensione
• La capacità di scarico continuo di 50 A supporta carichi ad alta corrente
• L'Rds(on) di 12,6 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione per un funzionamento efficiente
• La dissipazione di potenza massima di 58 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 39 nC garantisce requisiti energetici di commutazione prevedibili
• La tensione nominale di gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti
• La capacità di scarico continuo di 50 A supporta carichi ad alta corrente
• L'Rds(on) di 12,6 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione per un funzionamento efficiente
• La dissipazione di potenza massima di 58 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 39 nC garantisce requisiti energetici di commutazione prevedibili
• La tensione nominale di gate di 20 V consente margini di azionamento gate robusti
Applicazioni
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per la commutazione di carichi ad alta corrente nelle unità di controllo
• Utilizzato con sistemi di gestione termica per il funzionamento a temperature elevate
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e il controllo del percorso di alimentazione
• Compatibile con il montaggio a foro passante su gruppi di alimentazione
• Ideale per la commutazione di carichi ad alta corrente nelle unità di controllo
• Utilizzato con sistemi di gestione termica per il funzionamento a temperature elevate
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e il controllo del percorso di alimentazione
• Compatibile con il montaggio a foro passante su gruppi di alimentazione
In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C.
Quale tipo di contenitore e metodo di montaggio vengono utilizzati?
È fornito in un contenitore TO-252 progettato per il montaggio a foro passante.
In che modo la cifra di carica gate influisce sulla progettazione della commutazione?
Una carica di gate di 39 nC indica l'energia dell'azionamento del gate e influisce sulle dimensioni del driver e sulle perdite di commutazione.
È adatto all'uso nei sistemi elettronici automobilistici?
È conforme allo standard per dispositivi automobilistici AEC‐Q101 per l'idoneità agli ambienti dei veicoli.
Qual è la tensione massima consentita da gate a sorgente?
La tensione nominale massima VGS è di 20 V.
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