MOSFET Infineon, canale N 55 V, 14.5 mΩ Miglioramento, 59 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR2905ZTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2620
Codice Distrelec:
304-39-420
Codice costruttore:
IRFR2905ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo

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