MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 3 mΩ, 59 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR2905ZTRL

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Codice RS:
244-2875
Codice costruttore:
AUIRFR2905ZTRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

AUIRFS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il Infineon AUIRFR2905ZTRL, progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e una grande varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo, Conformità RoHS

Qualificato per il settore automobilistico

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