Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale N 55 V, 3 mΩ, 59 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 244-2874
Codice costruttore:: AUIRFR2905ZTRL
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 55 V, 3 mΩ, 59 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2913,00 €

(IVA esclusa)

3555,00 €

(IVA inclusa)

Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,971 €	2.913,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 244-2874
Codice costruttore:: AUIRFR2905ZTRL
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	59A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	55V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	AUIRFS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 59A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V
	Tipo di package TO-252
	Serie AUIRFS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - AUIRFR2905ZTRL

Il Infineon AUIRFR2905ZTRL, progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e una grande varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo, Conformità RoHS

Qualificato per il settore automobilistico

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