MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 9.6 mΩ N, 73 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD096N08N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3038
Codice costruttore:
IPD096N08N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

73A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.6mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N Infineon. Questo MOSFET è ideale per applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Canale N, livello normale

Testato con effetto valanga al 100%

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

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