MOSFET Infineon, canale Tipo N 500 V, 1.4 Ω N, 4.8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50R1K4CEAUMA1
- Codice RS:
- 218-3047
- Codice costruttore:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,45 € | 22,50 € |
| 100 - 200 | 0,324 € | 16,20 € |
| 250 - 450 | 0,301 € | 15,05 € |
| 500 - 1200 | 0,283 € | 14,15 € |
| 1250 + | 0,261 € | 13,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3047
- Codice costruttore:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4Ω | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.83V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4Ω | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Tensione diretta Vf 0.83V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Altezza 2.41mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N serie Infineon 500V CoolMOS™ CE. CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Questa serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costo/prestazioni disponibile sul mercato.
Robustezza di commutazione molto elevata
Facile da usare/guidare
Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni
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