MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 300 V, 130 mΩ Miglioramento, 16 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

7740,00 €

(IVA esclusa)

9445,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 21 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +1,548 €7.740,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
220-7356
Codice costruttore:
BSC13DN30NSFDATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200V, 250V e 300V è ottimizzata per la commutazione hard diodo del corpo. Questi dispositivi sono la scelta perfetta per le applicazioni di commutazione difficili come le telecomunicazioni, gli alimentatori industriali, gli amplificatori audio di classe D, il controllo di motori e inverter c.c.-c.a.

Maggiore robustezza di commutazione

Comportamento di hard switching ottimizzato

r ds(on), Q g e Q rr più bassi del settore

Conformità RoHS - senza alogeni

Massima affidabilità del sistema

Riduzione dei costi del sistema

Massima efficienza e densità di potenza

Prodotti facili da progettare

Link consigliati