MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 137 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

4640,00 €

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Codice RS:
220-7351
Codice costruttore:
BSC028N06NSTATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

137A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.2mm

Larghezza

6.1mm

Lunghezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 in contenitore SuperSO8 offre la tecnologia più recente insieme ai miglioramenti della temperatura nel contenitore. Questa nuova combinazione consente una maggiore densità di potenza e una maggiore robustezza. Rispetto ai dispositivi con valori nominali inferiori, la funzione TJ_MAX di 175 °C offre una maggiore potenza a una temperatura di giunzione d'esercizio più elevata o una maggiore durata alla stessa temperatura di giunzione d'esercizio. Inoltre, si ottiene un miglioramento del 20% nell'area operativa sicura (SOA). Questa nuova caratteristica del contenitore è perfetta per applicazioni quali telecomunicazioni, azionamenti per motori e server.

Bassa resistenza RDS(on)

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Maggiore capacità di 175 °C in SuperSO8

Maggiore durata

Massima efficienza e densità di potenza

Massima affidabilità del sistema

Robustezza termica

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