MOSFET e diodo Infineon, canale N 60 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 137 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC028N06NSTATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7352
Codice costruttore:
BSC028N06NSTATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

137A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.2mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 in contenitore SuperSO8 offre la tecnologia più recente insieme ai miglioramenti della temperatura nel contenitore. Questa nuova combinazione consente una maggiore densità di potenza e una maggiore robustezza. Rispetto ai dispositivi con valori nominali inferiori, la funzione TJ_MAX di 175 °C offre una maggiore potenza a una temperatura di giunzione d'esercizio più elevata o una maggiore durata alla stessa temperatura di giunzione d'esercizio. Inoltre, si ottiene un miglioramento del 20% nell'area operativa sicura (SOA). Questa nuova caratteristica del contenitore è perfetta per applicazioni quali telecomunicazioni, azionamenti per motori e server.

Bassa resistenza RDS(on)

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Maggiore capacità di 175 °C in SuperSO8

Maggiore durata

Massima efficienza e densità di potenza

Massima affidabilità del sistema

Robustezza termica

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