MOSFET Infineon, canale N, 4,2 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 906-4296
Codice costruttore:: BSC028N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,2 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

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250 - 490	1,685 €	16,85 €
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Codice RS:: 906-4296
Codice costruttore:: BSC028N06NSATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC028N06NS OptiMOS Power-Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	TDSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	4,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	83 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	37 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.1mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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