MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 300 V, 130 mΩ Miglioramento, 16 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC13DN30NSFDATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7357
Codice costruttore:
BSC13DN30NSFDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.35mm

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.2mm

Standard automobilistico

No

Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200V, 250V e 300V è ottimizzata per la commutazione hard diodo del corpo. Questi dispositivi sono la scelta perfetta per le applicazioni di commutazione difficili come le telecomunicazioni, gli alimentatori industriali, gli amplificatori audio di classe D, il controllo di motori e inverter c.c.-c.a.

Maggiore robustezza di commutazione

Comportamento di hard switching ottimizzato

r ds(on), Q g e Q rr più bassi del settore

Conformità RoHS - senza alogeni

Massima affidabilità del sistema

Riduzione dei costi del sistema

Massima efficienza e densità di potenza

Prodotti facili da progettare

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