MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 300 V, 130 mΩ Miglioramento, 16 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC13DN30NSFDATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7357
Codice costruttore:
BSC13DN30NSFDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.2mm

Lunghezza

5.35mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200V, 250V e 300V è ottimizzata per la commutazione hard diodo del corpo. Questi dispositivi sono la scelta perfetta per le applicazioni di commutazione difficili come le telecomunicazioni, gli alimentatori industriali, gli amplificatori audio di classe D, il controllo di motori e inverter c.c.-c.a.

Maggiore robustezza di commutazione

Comportamento di hard switching ottimizzato

r ds(on), Q g e Q rr più bassi del settore

Conformità RoHS - senza alogeni

Massima affidabilità del sistema

Riduzione dei costi del sistema

Massima efficienza e densità di potenza

Prodotti facili da progettare

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