MOSFET e diodo Infineon, canale N 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 170 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB033N10N5LFATMA1
- Codice RS:
- 220-7379
- Codice costruttore:
- IPB033N10N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1000 unità, in una bobina da 1000*
2288,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,288 € | 2.288,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7379
- Codice costruttore:
- IPB033N10N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 170A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 170A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET e diodo Infineon OptiMOS serie 5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 170 A - IPB033N10N5LFATMA1
Questo MOSFET e diodo è un dispositivo di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in ambienti termici impegnativi. Combina un dispositivo di potenziamento a canale N con un diodo integrato in un pacchetto TO-263, fornendo una soluzione compatta per la conversione di potenza e le attività di commutazione in un'ampia gamma di temperature.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 100 V consente il funzionamento in sistemi a media tensione
• RDS(on) di 3,3 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico pesante
• La corrente di drenaggio continua di 170 A supporta applicazioni ad alta corrente
• La dissipazione di potenza di 179 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• La tensione del diodo in avanti di 1,2 V riduce al minimo le perdite di commutazione
• La tolleranza del gate di 20 V consente tensioni di gate drive flessibili
• RDS(on) di 3,3 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico pesante
• La corrente di drenaggio continua di 170 A supporta applicazioni ad alta corrente
• La dissipazione di potenza di 179 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• La tensione del diodo in avanti di 1,2 V riduce al minimo le perdite di commutazione
• La tolleranza del gate di 20 V consente tensioni di gate drive flessibili
Applicazioni
• Adatto per la commutazione primaria dell'alimentazione del server
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato per le fasi a mezzo ponte dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per percorsi di gestione della batteria ad alta corrente
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono una bassa perdita di conduzione
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato per le fasi a mezzo ponte dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per percorsi di gestione della batteria ad alta corrente
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono una bassa perdita di conduzione
Quale intervallo di temperatura ambiente può gestire durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C.
Quale tipo di contenitore e tipo di montaggio devono prevedere i progettisti?
È fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.
In che modo il dispositivo si adatta a progetti termici ad alta corrente?
La combinazione di una corrente nominale continua di 170 A e una dissipazione massima di 179 W consente l'uso in progetti in cui è necessario gestire il calore sostanziale attraverso i tamponi termici e in rame per circuito stampato.
Quali sono i vincoli del gate-drive che devono essere osservati?
La tensione gate-sorgente non deve superare i 20 V per rimanere entro i limiti di funzionamento sicuro.
Quali caratteristiche di conduzione influenzano i calcoli della perdita di potenza?
La bassa resistenza drain-source di 3,3 mΩ è il parametro chiave per stimare le perdite di conduzione alla corrente d'esercizio.
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