MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 170 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
220-7379
Codice costruttore:
IPB033N10N5LFATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il FET lineare OptiMOS Infineon è un approccio rivoluzionario per evitare il compromesso tra la resistenza in stato attivo (R DS(on)) e la capacità in modalità lineare - funzionamento nella regione di saturazione di un MOSFET in modalità potenziata. Offre lo stato dell'arte R DS(on) di un MOSFET Trench insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.

Combinazione di R DS(on) basso e ampia area di lavoro sicura (SOA)

Elevata corrente di impulso max

Elevata corrente di impulso continua

Robusto funzionamento in modalità lineare

Basse perdite di conduzione

Maggiore corrente di spunto abilitata per un avvio più rapido e un abbassamento più breve ora

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