MOSFET e diodo Infineon, canale N 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 170 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB033N10N5LFATMA1

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 2 unità, in una confezione da 2*

11,52 €

(IVA esclusa)

14,06 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1684 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 185,76 €11,52 €
20 - 485,07 €10,14 €
50 - 984,785 €9,57 €
100 - 1984,43 €8,86 €
200 +4,085 €8,17 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7380
Codice costruttore:
IPB033N10N5LFATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET e diodo Infineon OptiMOS serie 5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 170 A - IPB033N10N5LFATMA1


Questo MOSFET e diodo è un dispositivo di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in ambienti termici impegnativi. Combina un dispositivo di potenziamento a canale N con un diodo integrato in un pacchetto TO-263, fornendo una soluzione compatta per la conversione di potenza e le attività di commutazione in un'ampia gamma di temperature.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 100 V consente il funzionamento in sistemi a media tensione
• RDS(on) di 3,3 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico pesante
• La corrente di drenaggio continua di 170 A supporta applicazioni ad alta corrente
• La dissipazione di potenza di 179 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• La tensione del diodo in avanti di 1,2 V riduce al minimo le perdite di commutazione
• La tolleranza del gate di 20 V consente tensioni di gate drive flessibili

Applicazioni


• Adatto per la commutazione primaria dell'alimentazione del server
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato per le fasi a mezzo ponte dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per percorsi di gestione della batteria ad alta corrente
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono una bassa perdita di conduzione

Quale intervallo di temperatura ambiente può gestire durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C.

Quale tipo di contenitore e tipo di montaggio devono prevedere i progettisti?


È fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.

In che modo il dispositivo si adatta a progetti termici ad alta corrente?


La combinazione di una corrente nominale continua di 170 A e una dissipazione massima di 179 W consente l'uso in progetti in cui è necessario gestire il calore sostanziale attraverso i tamponi termici e in rame per circuito stampato.

Quali sono i vincoli del gate-drive che devono essere osservati?


La tensione gate-sorgente non deve superare i 20 V per rimanere entro i limiti di funzionamento sicuro.

Quali caratteristiche di conduzione influenzano i calcoli della perdita di potenza?


La bassa resistenza drain-source di 3,3 mΩ è il parametro chiave per stimare le perdite di conduzione alla corrente d'esercizio.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.