MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 100 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB065N10N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7383
Codice costruttore:
IPB065N10N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza OptiMOS 100V Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e alta densità di potenza. Rispetto alla tecnologia migliore successiva, questa famiglia raggiunge una riduzione del 30% sia in R DS(on) che in figura di merito.

Eccellenti prestazioni di commutazione

R DS(on) più bassa al mondo

Q g e Q gd molto bassi

Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Ecologico

Maggiore efficienza

Massima densità di potenza

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Minimo consumo di spazio su scheda

Prodotti facili da progettare

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