MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 170 mΩ Miglioramento, 51 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R170CFD7ATMA1

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Codice RS:
220-7407
Codice costruttore:
IPD60R170CFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

170mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

76W

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V Cool MOS CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a super giunzione ad alta tensione di Infineon con diodo integrato a corpo rapido, che completa la serie Cool MOS 7. Cool MOS CFD7 viene fornito con carica di gate ridotta (Qg), comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso (Qrr) fino al 69% in meno rispetto alla concorrenza, nonché il tempo di recupero inverso (trr) più basso sul mercato.

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