MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 9 mΩ Miglioramento, 77 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
220-7493
Codice costruttore:
IRFR3504ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

77A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39 mm

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Livello di qualifica standard industriale

I piedini di uscita standard consentono la sostituzione drop-in

Prestazioni elevate in applicazioni a bassa frequenza

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