1 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 5.81 mΩ, 250 A 1200 V, AG-62MM, Telaio Miglioramento FF6MR12KM1BOSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4796
Codice costruttore:
FF6MR12KM1BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

250A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

FF6MR

Tipo di package

AG-62MM

Tipo montaggio

Telaio

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.81mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione diretta Vf

5.85V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Modulo half bridge Infineon da 62 mm 1200 V, 6 mΩ con MOSFET Cool SIC™.

Elevata densità di corrente

Basse perdite di commutazione

Eccellente affidabilità dell'ossido di gate

Massima robustezza contro l'umidità

Robusto diodo integrato nel corpo, e quindi condizioni termiche ottimali

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