1 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 5.81 mΩ, 250 A 1200 V, AG-62MM, Telaio Miglioramento FF6MR12KM1BOSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4796
Codice costruttore:
FF6MR12KM1BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

250A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

AG-62MM

Serie

FF6MR

Tipo montaggio

Telaio

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.81mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Modulo half bridge Infineon da 62 mm 1200 V, 6 mΩ con MOSFET Cool SIC™.

Elevata densità di corrente

Basse perdite di commutazione

Eccellente affidabilità dell'ossido di gate

Massima robustezza contro l'umidità

Robusto diodo integrato nel corpo, e quindi condizioni termiche ottimali

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